單(dan)晶棒等徑控制是(shi)單晶爐 控制的重點。單晶直徑在生長(zhang)過程(cheng)中課(ke)受到溫度、提拉速度(du)與轉速、坩(gan)埚跟蹤速(su)度與轉速(su)、生長(zhang)物理環境(jing)、保護(hu)氣體的(de)流(liu)速與溫度(du)、冷卻水流的(de)流速與(yu)溫度等因(yin)素的(de)影響。歸納起來(lai)，無外乎是熱場(chang)波動和生長速(su)度變化兩大類。因此，爐内熱場(chang)設置，生長溫度補償(chang)、速(su)度等參(can)數選配是(shi)控制單晶外(wai)形的基本條件，爐内熱場和(he)生(sheng)長(zhang)速度(du)的精确控(kong)制是單晶(jing)等(deng)徑控制(zhi)的重點。由于影(ying)響單晶(jing)等徑生長的因素較多(duo)，控制對象數學(xue)模型難以建立，且這些因(yin)素本(ben)身以(yi)及它們之(zhi)間的關系是模(mo)糊的、不(bu)确定(ding)的。系統(tong)具有(you)非線性、時變性(xing)和大(da)慣性(xing)的特征。因而，單(dan)晶爐(lu)單晶(jing)等徑(jing)生長控制(zhi)采用模糊控制策略(lue)是比較合(he)适的(de)。

    單(dan)晶(jing)等徑生(sheng)長在(zai)忽略一(yi)些幹擾因素(su)影(ying)響情況下(xia)，主要(yao)受溫度和(he)拉速(su)影響(xiang)。如(ru)果恒定(ding)溫度而僅從生長速度控(kong)制(zhi)直(zhi)徑，外形固(gu)然可(ke)以得到快速保(bao)證，但生長(zhang)速度(du)的大幅度調節(jie)會造成(cheng)單晶微(wei)觀質量缺(que)陷。反(fan)之，如果恒定速(su)度而僅從溫度(du)調節來控(kong)制直(zhi)徑，由于這種控(kong)制系統是(shi)一個(ge)緩慢時(shi)變，并且(qie)具有确定性擾(rao)動和随機幹擾(rao)的非最小相(xiang)位(wei)系統(tong)，用一般常(chang)規儀表(biao)控制手段來實現自動(dong)控徑極爲(wei)困難(nan)。隻有(you)對(dui)溫度和生長速(su)度(du)進行(hang)綜合控制(zhi)，才能(neng)完成等徑自動控(kong)制。